旧金山,加利福尼亚州和广州,中国,2023年11月01日 —— GOWIN半导体公司,被公认为世界上增长最快的FPGA公司,很高兴宣布扩展其高性能FPGA产品线Arora V系列。最新产品利用了22nm SRAM先进技术、12.5Gbps高速串行接口、PCIe硬核、MIPI硬核D-PHY和C-PHY支持、RISC-V微处理器以及DDR3接口。扩展产品线现在包括1.5万、4.5万、6万和7.5万LUT设备选项。
新的Arora V产品线不仅补充了之前的Arora产品线,而且还提供了显著的性能提升和可观的60%功率消耗降低。具体来说,Arora V设备表现出比Arora GW2A产品线高30%的性能和60%左右的功率消耗降低。Arora-V编程配置为设计人员提供了广泛的选择,包括JTAG、SSPI、MSPI、CPU以及直接通过JTAG或SSPI模式编程外部SPI闪存的能力。此外,它还允许使用软核IP桥通过其他模式间接编程外部闪存,并支持后台升级、位流文件加密以及安全位设置。
Arora V通过提供异常单事件错误(SEU)的优异抗性来区别于竞争对手。GOWIN采取了一种创新方法,通过设计定制SRAM单元格,显著减少软错误率效应。为了使SEU相关事宜的处理更便捷,GOWIN提供了“SEU处理器”外围IP,允许用户无缝访问SEU报告和纠正功能,提高了可靠性和效率。
新的Arora V产品线还集成了一种先进的I/O结构,它能够在每个差分I/O对中恢复包含内嵌时钟的串行数据,使用内置CDR技术。这个功能促进了多个GPIO的简单串联,以实现高数据吞吐量,而无需SERDES解决方案。以以太网、工业场总线和LVDS总线应用等为例,都可以很容易地使用EasyCDR实现。
“我们很高兴在创新阶段的增长过程中,能够在新的22nm技术产品中为下一代应用提供选择,”GOWIN半导体公司销售总监斯科特·卡斯珀表示,“性能和速度的改进以及EasyCDR功能的增加,将使我们进入以前产品线无法实现的解决方案。”
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